| 研究課題/領域番号 |
25249035
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
中島 寛 九州大学, 産学連携センター, 教授 (70172301)
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| 研究分担者 |
西田 稔 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (90183540)
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| 連携研究者 |
光原 昌寿 九州大学, 総合理工学研究院, 助教 (10514218)
王 冬 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 (10419616)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
39,390千円 (直接経費: 30,300千円、間接経費: 9,090千円)
2015年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2014年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2013年度: 24,310千円 (直接経費: 18,700千円、間接経費: 5,610千円)
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| キーワード | Ge半導体 / 高性能デバイス / 電子材料 / 絶縁膜 / 金属/半導体コンタクト / 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
スパッタ堆積で作製したTiN/Geコンタクトは、フェルミレベルピンニング（FLP）位置を伝導帯側に大きく変調し、低い電子障壁が実現できる。TiN/Geの界面構造を調べた結果、界面に厚さが1-2 nmの窒素を含むアモルファス界面層（a-IL）が存在し、このa-ILがFLP変調に重要な役割を果たしている。TiN/Geをソース/ドレイン（S/D）に用いたn-MOSFETでは、a-ILの厚さが薄いため、S/D寄生抵抗が1400 Ωと大きい。S/Dを埋め込み構造にして寄生抵抗を100 Ω迄低減した。HfGe/Geの代わりにPtGe/GeをS/Dに用いて、S/D寄生抵抗を50 Ω迄低減した。
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