| 研究課題/領域番号 |
25286033
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノマイクロシステム
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
田中 秀治 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (00312611)
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| 研究分担者 |
吉田 慎哉 東北大学, 大学院工学研究科, 特任准教授 (30509691)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2015年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2014年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
2013年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
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| キーワード | PZT / エピタキシャル成長 / 単結晶圧電薄膜 / 急冷法 / 誘電率 / MEMS / 圧電薄膜 / バッファ層 / キュリー点 / スパッタリング / チタン酸ジルコン酸鉛 / スパッタ成膜 / 単結晶膜 / シリコン基板 / 圧電定数 |
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| 研究成果の概要 |
Si基板上に理想的な配向を示すPZT系単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる技術を開発した。PZTの成膜法はスパッタ法であり，急冷法を用いて，従来はSi基板上では不可能であった理想的な配向制御（正方晶のc軸配向制御）を実現した。その結果，高い圧電定数，低い誘電率，それらから導かれる極めて大きな性能指数，バルク材料のそれより大幅に高いキュリー点など，これまでに実現されていない応用上極めて優れた特性を確認した。低抵抗の金属バッファ層のスパッタ成膜にも成功した。さらに，得られたPZT系単結晶薄膜の実用性を実証するため，MEMS構造を作製し，プロセスダメージが生じないことも確認した。
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