| 研究課題/領域番号 |
25289336
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
核融合学
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
上杉 喜彦 金沢大学, 電子情報学系, 教授 (90213339)
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| 研究分担者 |
田中 康規 金沢大学, 理工研究域・電子情報学系, 教授 (90303263)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2015年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2014年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2013年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | トリチウム吸蔵制御 / 不純物堆積膜 / 核融合周辺プラズマ / 反応性プラズマ / 不純物制御 / 水素同位体吸蔵 / 水素化炭素膜 / 窒素スカベンジャー / プラズマー壁相互作用 / リモートプラズマ / 水素金属不純物共体積 / 核融合 / 窒素スカベンジャー効果 / プラズマ-壁相互作用 / 低温周辺プラズマ / 周辺プラズマ / 低温反応性プラズマ / ダイバータ / トカマク型核融合炉 / トリチウム |
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| 研究成果の概要 |
将来の磁場閉じ込め熱核融合炉においてトリチウムの炉内吸蔵の抑制手法の開発を目的として、グラファイト材と周辺プラズマ中への窒素ガス導入による炭素堆積膜中へのトリチウム吸蔵抑制に関する研究を行い、以下の結果を得た。（１）水素または重水素プラズマ中にメタンまたは重水素化ベンゼンを導入し、H(D)/Cが混合した低温プラズマ中に窒素ガスを導入することで水素化炭素膜成長が顕著に抑制されることを見いだした。（２）窒素ガス導入による水素化炭素膜成長の抑制は、化学反応系がCHxなどの凝集性炭化水素系分子からHCNやNH3などの揮発性分子生成系へと変わる事が主たる要因である。
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