| 研究課題/領域番号 |
25390084
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
南 内嗣 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70113032)
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| 連携研究者 |
宮田 俊弘 金沢工業大学, 工学部, 教授 (30257448)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 金属酸化物薄膜 / 透明導電膜 / 酸化亜鉛 / 表面テクスチャ―構造 / 薄膜太陽電池 / ZnO / 表面テクスチャ― / 透明電極 / 表面テクスチャー / マグネトロンロンスパッタ |
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| 研究成果の概要 |
テクスチャー構造と呼ばれる凹凸構造を膜表面に形成した酸化物透明導電膜を薄膜太陽電池用透明電極として採用することによる太陽電池の変換効率向上を目的として、申請者らが独自に発明した高周波重畳直流マグネトロンスパッタ成膜法を駆使して、テクスチャー構造の形状を制御して酸化亜鉛(ZnO)系透明導電膜を作製する技術を確立できた。具体的には、スパッタ成膜後の化学的エッチングによるテクスチャー構造の形成・形状制御技術及び形状を制御しつつ成膜時に直接テクスチャー構造を形成することにより、波長約400-1000nmの範囲において高いヘイズ率を実現でき、それを採用した太陽電池において変換効率の向上を実現できた。
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