| 研究課題/領域番号 |
25390085
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大同大学 |
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研究代表者 |
堀尾 吉已 大同大学, 工学部, 教授 (00238792)
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| 連携研究者 |
高桑 雄二 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (20154768)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2015年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2014年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2013年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | RHEED / 波動場 / オージェ電子 / ロッキング曲線 / 反射高速電子回折 / 表面波共鳴 |
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| 研究成果の概要 |
投影ポテンシャル法を用いたロッキング曲線から、Si(001)2x1表面上のシリコンダイマーは室温の非対称構造から約1000Kの高温では対称構造に変化することが解析された。BRAESプロファイルは表面波共鳴条件下においてSi(LVV)オージェ強度の増大を示した。計算によるSi原子列上の波動場強度もこの入射条件下で増大することが確認された。
二元系結晶のZnO(0001)表面においてはロッキング曲線から極性表面の識別と共に、表面の構造緩和が解析された。特に、Zn(LMM)とO(KLL)のBRAESプロファイルには異なる振る舞いが得られたが、これはオージェ電子の波動場励起を示唆するものである。
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