| 研究課題/領域番号 |
25420283
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
野崎 眞次 電気通信大学, 情報理工学(系)研究科, 教授 (20237837)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 紫外光 / 光酸化 / 酸化物半導体 / ニッケル / 亜鉛 / FET / フレキシブルエレクトロニクス / プリンテッドエレクトロニクス |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、光酸化法を活用して、金属酸化物の半導体のプレーナー型pn接合を金属の酸化により形成する。金属酸化物半導体は両伝導型を得ることが一般に困難なので、p形伝導を示す酸化ニッケル、N形伝導を示す酸化亜鉛を用いた。金属亜鉛を400℃で紫外線酸化して得られた酸化亜鉛は、ホール測定で1E16 cm-3オーダーの電子濃度、移動度2 cm2V-1s-1を示した。一方、酸化ニッケルは、高抵抗を示し、ホール測定ではp、nの判別はできなかった。しかし、Zn上に堆積したNiからなる積層構造を400℃で紫外線酸化したところ、リーク電流は大きいもののpnダイオードの特性が得られた。
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