| 研究課題/領域番号 |
25420339
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北学院大学 |
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研究代表者 |
原 明人 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
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| 連携研究者 |
北原 邦紀 島根大学, 総合理工学部, 教授 (60304250)
菅原 文彦 東北学院大学, 工学部, 准教授 (70171139)
鈴木 仁志 東北学院大学, 工学部, 准教授 (70351319)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / poly-Si / poly-Ge / ダブルゲート / 四端子 / ガラス / poly-Si TFT / 低温プロセス / poly-Ge TFT / 多結晶シリコン / 4端子 / ４端子 / 自己整合 |
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| 研究成果の概要 |
独自の連続波レーザ結晶化技術(CLC)と四端子(4T)多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)技術を融合させ、自己整合平面型4Tメタルダブルゲート(MeDG) CLC低温poly-Si TFTを550℃プロセスでガラス基板上に実現した。このTFTは、MOSFETのしきい値電圧の制御性とほぼ同じ性能を示す。この優れた特性を利用してE/Dインバータを作製し、2.0 (V)動作を実現した。さらに、代表者はp-chに関しても自己整合平面型4T MeDG CLC 低温poly-Si TFTを開発し、高いしきい値電圧の制御性を実現した。
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