| 研究課題/領域番号 |
25600101
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
中島 寛 九州大学, 産学連携センター, 教授 (70172301)
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| 連携研究者 |
西田 稔 九州大学, 大学院総合理工学研究院 (90183540)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 界面 / 低電子障壁 / Si, SiC / パワーデバイス / Si / SiC |
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| 研究成果の概要 |
４族窒化金属（TiN、ZrN、HfN）に注目し、Siに対する低電子障壁コンタクトの実現を目指した。４族窒化金属をスパッタ堆積したコンタクトは、４族金属に比べて、著しく低い電子障壁を示すことを見出した。電子障壁高さは、0.27 eV（TiN）、0.30 eV（ZrN）、0.34 eV（HfN）である。これは、窒化金属/Si界面に窒素を含むアモルファス界面層が形成されたことに起因すると考えられる。Si-On-Insulator基板上に４族窒化金属膜を堆積し、バックゲートのMOSFETを試作した。off電流および寄生抵抗は窒化金属の電子障壁高さと良い相関があることが分かった。
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