| 研究課題/領域番号 |
25630006
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 展 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (70550143)
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| 研究分担者 |
泉 聡志 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 (30322069)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 半導体 / 微細パターン材 / 真性応力 / 板理論 / 座屈 / ドライエッチング / 分子動力学法 / プラズマエッチング |
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| 研究成果の概要 |
異種界面に生じる真性応力は半導体微細パターンの構造不安定を引き起こす重要な因子のひとつであり，工学分野においては，真性応力に起因する構造不安定を原子スケールと連続体スケールの観点から定量的に予測することは必要不可欠である．本研究では，板理論を適用して，ドライエッチング中の微細パターンの横うねり座屈に関する予測モデルを構築し，実験データとの比較から本モデルの有効性を示した．次に，分子動力学法を用いてドライエッチングの原子モデルを構築し，酸化膜形成解析によって酸化膜内の圧縮応力が1GPaを超えることを明らかにした．以上より，連続体モデルと原子モデルに基づいた微細パターンの座屈評価手法を確立した．
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