| 研究課題/領域番号 |
25630123
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
須田 良幸 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10226582)
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| 研究分担者 |
塚本 貴広 東京農工大学, 大学院工学研究院, 助教 (50640942)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | ゲルマニウム / 仮想基板 / エピタキシー / サファクタント / ヘテロ接合 / 高速デバイス |
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| 研究成果の概要 |
これまで高濃度PドープSi基板上に直接平坦なGe膜が形成されることを示してきたが、本研究によって、高濃度のBドープSi基板上にも直接平坦なGe膜が形成できることを示した。また、高抵抗基板でも、初期に高い成膜速度で微細・高密度の島を形成する事によって、その後、成膜速度に依存せずGeが次第に平坦化成長することが判った。これは結合手の多い凹部に泳動するGeが安定に固定化されるアンカー効果によると解析した。この手法によりRMS=0.23nmの極めて平坦で、CVD法より貫通転位の少ないGe膜が得られた。電流は主に転位の多い界面を流れたが、縦方向に整流性を持たせることで、有効なチャネル形成が期待できる。
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