| 研究課題/領域番号 |
25630357
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
反応工学・プロセスシステム
|
|---|
| 研究機関 | 京都大学 |
|---|
研究代表者 |
河瀬 元明 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60231271)
|
|---|
| 研究分担者 |
井上 元 京都大学, 大学院工学研究科, 助教 (40336003)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
|
|---|
| キーワード | プラズマCVD / シリカ膜 / ヘキサメチルジシロキサン / キャリアガス / 膜組成 / 膜特性 / ガスバリア / 積層膜 / PENフィルム / ガス透過セル / 成膜前駆体 / 膜密度 / 成膜速度 / 原料組成比 / 雰囲気ガス / 膜構造 |
|---|
| 研究成果の概要 |
比較的低温での成膜が可能で，高いバリア性と密着性が得られるプラズマCVD法により，高ガスバリア性シリカ膜の作製を行った。原料にはヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を用い，ポリエチレンナフタレート（PEN）フィルム上に製膜した。キャリアガス（O2，H2）と成膜条件が膜組成や膜特性，成膜速度に与える影響に関する知見を得た。
また，独自に作製したガス透過測定装置を用いて，成膜前のPENフィルムでO2透過量を測定し，文献データと比較することにより測定法の妥当性を検証した。
プラズマCVD法により作製したSiOC膜のO2透過量を実測し，O2パーミアンスの値を得た。
|
