| 研究課題/領域番号 |
25790011
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
荒井 礼子 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノスピントロニクス研究センター, 協力研究員 (50431755)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | スピントロニクス / スピントルク / スピントルク発振器 |
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| 研究実績の概要 |
本研究ではスピントルク発振器によるスピン状態検出の理論構築を目指した。
初年度は最も簡単なマクロスピン近似のもとで、微小磁化と相互作用しているスピントルク発振器のシミュレーションプログラムの作成と数値計算を行い、微小磁化の始状態の違いをスピントルク発振器の発振状態によって区別可能であることを示した。
本年は微小磁化存在下におけるスピントルク発振器のマイクロマグネティックスシミュレーションを行うにあたり、始めに、微小な磁性薄膜中の磁化が取りうる安定な磁化状態に関するシミュレーションを行った。特に垂直磁気異方性をパラメータとし、直径および膜厚に対する安定状態の相図作成を行った。垂直磁気異方性が大きくなるにつれて有効的に膜厚が増加することになり、比較的大きな膜厚が必要な面直型やボルテックス型の磁化配置がより薄い膜厚で生じることが分かった。また異方性が大きい場合に特殊なボルテックス型の磁化配置が最安定状態になるが、このような磁化配置は一様な磁場の挿印のみでは現れないことが分かった。
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