| 研究課題/領域番号 |
25820121
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
塚本 貴広 東京農工大学, 工学(系)研究院(研究科), 助教 (50640942)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | ゲルマニウムスズ / スパッタエピタキシー法 / 結晶成長 / GeSn / スパッタエピタキシー / ゲルマニウム |
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| 研究成果の概要 |
GeSnはⅣ族半導体の中で最も移動度が高い電子材料であるが、GeへのSnの固溶限が小さいためSnが析出しやすく、結晶成長技術の開発が必要であった。本研究では、大面積成膜可能な物理体積法であるスパッタエピタキシー法を用いた歪GeSn系チャネル素子の開発を試みた。GeSnの結晶成長では、成膜中におけるGeおよびSn原子の表面拡散の抑制がSn析出の抑制に効果的であることがわかった。また、Si基板上にGeSn薄膜を形成する際には、SiとGeSnの大きな格子不整合が課題となるため、Si基板上へのGe膜形成に取り組み、高いスパッタ電力が平坦性の向上や欠陥形成の改善に大きく貢献することを明らかにした。
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