| 研究課題/領域番号 |
25820373
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
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| 研究機関 | 東京学芸大学 |
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研究代表者 |
Voegeli Wolfgang (VOEGELI Wolfgang) 東京学芸大学, 教育学部, 助教 (90624924)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | X線反射率 / シリコン / 薄膜成長 / Electrodeposition / X-ray reflectivity / Silicon / 表面・界面物性 / Copper |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、薄膜の電気化学成長等における構造変化を時分割Ｘ線反射率法でその場観察できる手法を確立し、シリコン上の薄膜成長等に応用した。実験に、秒程度で反射率曲線全体の測定できる波長角度同時分散型のＸ線反射率法を用いた。
シリコン上の銅薄膜の電析、シリコンの陽極酸化による酸化シリコン薄膜の成長、イオン液体電解液と電極の界面（電気二重層）の構造形成、を研究対象とした。シリコンの陽極酸化に関して、成長中の構造緩和が構造形成の理解において重要であると分かった。また、イオン液体の電気二重層が電位変化に応答するときに、電流を伴わないゆっくりとした構造緩和が起こることを証明した。
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