| 研究課題/領域番号 |
25871039
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 神戸市立工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
市川 和典 神戸市立工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (90509936)
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| 研究協力者 |
須田 善行 豊橋技術科学大学, 電気電子情報系, 准教授 (70301942)
浦岡 行治 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授 (20314536)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2013年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
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| キーワード | グラフェン / フラッシュメモリ / 熱CVD / グラフェントランジスタ |
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| 研究成果の概要 |
当初の目的であるグラフェンメモリの基礎となる単層グラフェンおよび多層グラフェンの作り分け技術を確立することができた。特に水素ガスの効果は重要であり、昇温時の水素はグラフェン核形成を促し、冷却時の水素はエッチング効果がある。水素によりグラフェンの形成した後すぐに欠陥導入をできるようになり、より再現性の高いメモリを作製することができた。欠陥の量が多くなるとメモリの性能が上がり、また電子の方が欠陥に捕獲されやすいことも明らかとなった。これらの結果から欠陥へ電子を捕獲することで動作するグラフェンメモリの動作と原理を明らかにすることができた。
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