| 研究課題/領域番号 |
25871110
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
量子ビーム科学
素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
三好 敏喜 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (20470015)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 半導体 / X線 / 電子デバイス / SOI / CMOS / Ｘ線 / 電子デバイス・機器 / 半導体検出器 |
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| 研究成果の概要 |
CMOS回路の性能を向上させる技術であるSOI ( Silicon - on - insulator ) 技術を用いて、センサと回路が一体になったピクセル検出器を開発した。ピクセル回路には前段増幅回路と波高弁別回路とカウンターが含まれている。開発上の問題となっている、センサと回路間のクロストーク低減や耐放射線性向上のために、2重SOIウエハを使用した。2重SOI層の上層を回路層とし、下層をシールド層とした。シールド層に一定電圧をかけることでクロストークが低減し、負電圧をかけることで耐放射線性が向上した。これら開発の結果、将来の実用化の目途がついた。
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