| 研究課題/領域番号 |
25889041
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
笠原 健司 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 特任助教 (00706864)
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| 研究期間 (年度) |
2013-08-30 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | スピンMOSFET / ゲルマニウム / スピントロニクス / スピントランジスタ / ショットキー接合 |
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| 研究成果の概要 |
原子層レベルで急峻な界面を持つ高規則度L21－Co2FeSi電極をスピン注入・検出電極に用いることで、従来電極(Fe/MgOトンネル接合電極など)よりも二桁近く高いGe中へのスピン生成効率(~0.12)を実現し、その検出温度を100 K以上も上昇させることに成功した。また、硫化アンモニウム水溶液によるp－Ge(111)基板の表面処理が、原子整合した体心立方構造金属/Ge(111)接合によるフェルミレベルピニングの影響の緩和効果を大幅に安定化させることを見出した。更に、金誘起層交換成長(GIC)法を改善して大粒径化させたGe結晶粒を用い、300℃以下という低温で薄膜トランジスタの作製に成功した。
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