| 研究課題/領域番号 |
26220605
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(S)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 名古屋大学 |
|---|
研究代表者 |
財満 鎭明 名古屋大学, 未来社会創造機構, 教授 (70158947)
|
|---|
| 研究分担者 |
竹中 充 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (20451792)
齋藤 晃 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (50292280)
|
|---|
| 研究協力者 |
中塚 理 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20334998)
黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-05-30 – 2019-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
|
| 配分額 *注記 |
180,180千円 (直接経費: 138,600千円、間接経費: 41,580千円)
2018年度: 19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2017年度: 22,750千円 (直接経費: 17,500千円、間接経費: 5,250千円)
2016年度: 33,670千円 (直接経費: 25,900千円、間接経費: 7,770千円)
2015年度: 48,230千円 (直接経費: 37,100千円、間接経費: 11,130千円)
2014年度: 56,420千円 (直接経費: 43,400千円、間接経費: 13,020千円)
|
|---|
| キーワード | 半導体物性 / 結晶工学 / 表面・界面物性 / ゲルマニウム錫 / エネルギーバンド / 結晶成長 / 集積回路 / Ⅳ族半導体 / IV族半導体 |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究においては、次世代エレクトロニクスへの活用が期待されるトンネル電界効果トランジスタや光電融合多機能デバイスへの応用に向けて、ゲルマニウム錫（GeSn）やゲルマニウムシリコン錫（GeSiSn）など、新しいSn系Ⅳ族混晶薄膜の結晶成長および電子物性制御技術を開発した。結晶薄膜および様々な界面物性やエネルギーバンド構造の制御技術、材料・プロセス技術を開拓し、省電力トランジスタや多機能集積電子・光電子デバイスの実現に資するSn系IV族混晶半導体の工学基盤を構築した。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
これまで未開拓であった新規Sn系IV族混晶半導体の結晶成長の学術を構築するとともに、エレクトロニクス応用上重要な様々な界面制御、プロセス技術の研究開発を推進し、新世代の電子・光電子デバイスの進展に資する多数の知見を獲得した。GeSnをはじめとするIV族半導体は次世代の省電力・高速・多機能集積・大容量エレクトロニクスの進歩に貢献できる材料であり、Society 5.0に代表される持続可能な省エネルギー産業や安全・安心な生活環境を実現できる超高度情報ネットワーク社会構築への寄与が期待できる。
|
| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A-
|
評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
|
