研究課題/領域番号 |
26249048
|
研究種目 |
基盤研究(A)
|
配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
小田 俊理 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (50126314)
|
研究分担者 |
小寺 哲夫 東京工業大学, 理工学研究科, 准教授 (00466856)
河野 行雄 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 准教授 (90334250)
川那子 高暢 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 助教 (30726633)
|
研究協力者 |
ミルン W. I. ケンブリッジ大学, 工学部, 教授
ウイリアムス D. 日立ケンブリッジ研究所, 所長
|
研究期間 (年度) |
2014-06-27 – 2017-03-31
|
研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
配分額 *注記 |
41,860千円 (直接経費: 32,200千円、間接経費: 9,660千円)
2016年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
2015年度: 13,390千円 (直接経費: 10,300千円、間接経費: 3,090千円)
2014年度: 21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円)
|
キーワード | シリコン量子ドット / ナノ結晶シリコン / コアシェルナノワイヤ / 熱電素子 / 量子ビット / スピンブロッケード / 3重量子ドット / 界面欠陥のコヒーレント制御 / Ge/Siコアシェルナノワイヤ / ナノシリコン量子ドット / シリコンナノワイヤ / 量子情報素子 / 正孔スピン / ナノワイヤ / 結合量子ドット / スピン量子ビット |
研究成果の概要 |
ナノ結晶シリコンの粒径制御、配列制御法を検討し、微小電極間に1個のナノ結晶を配列し、電子輸送特性の測定を行った。Ge/Siコアシェルナノワイヤの形成技術を最適化して、熱電素子応用への展望を拓いた。多重集積シリコン量子ドットを作製し電子輸送特性を測定した。2重結合量子ドット、3重結合量子ドットおよびp型結合量子ドットを形成して、少数電子領域やパウリスピンブロッケードの観測により、スピンベース多重集積量子ビットの実現に重要な進展を得た。
|