| 研究課題/領域番号 |
26286008
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 佐賀大学 |
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研究代表者 |
高橋 和敏 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 准教授 (30332183)
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| 研究分担者 |
今村 真幸 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 助教 (40554358)
東 純平 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 准教授 (40372768)
山本 勇 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 助教 (80528993)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2016年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2015年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2014年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
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| キーワード | グラフェン / 光電子分光 / 放射光 / レーザー / 表面・界面 / ナノ材料 / 物性実験 / 量子ビーム |
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| 研究成果の概要 |
種々のグラフェン関連試料において、放射光とフェムト秒レーザーという２種の先端的光源が持つ優れた特性を駆使した光電子分光実験を行った。SiC上グラフェンでは、特有の偶奇2種の対称性を持つ鏡像準位の分散を明らかにするとともに、時間分解測定からその寿命を明らかにした。酸素をインターカレートしたp型エピタキシャルグラフェンでは、バッファ層がある系に比べて強く束縛された鏡像準位が存在することと、1層のp型グラフェンの場合にはπ*状態の電子寿命が増大していることを見出した。グラフェン上のBi(110)超薄膜は６つの面内ドメインを形成して成長することを見出し、高対称線上のバンド分散を決定した。
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