| 研究課題/領域番号 |
26400347
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
李 徳新 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (40281985)
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| 研究分担者 |
本間 佳哉 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (00260448)
山村 朝雄 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (20281983)
青木 大 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (30359541)
本多 史憲 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (90391268)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | スピングラス / 量子臨界状態 / フラストレーション効果 / ｆ電子系化合物 / 量子臨海状態 / f電子系化合物 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では多数のUおよび希土類化合物におけるスピングラス(SG)現象の外場制御効果を観測した。特に、元素組成及び外部磁場の制御効果を調べるために、SG物質であるU2Pd1+xSi3-x系多結晶及びCe2CuSi3単結晶を合成し、1.8Kまでの物性測定を行った。その結果、Si含有量の増加と共にU2Pd1+xSi3-xのSG転移温度は降下することを明らかにした。量子臨界状態を達成する可能性が高い元素組成を見つけた。まだ、Ce2CuSi3の低温SG特性は磁場により変化することを確認した。特に、SG転移温度は磁場の増加と共に低温側に移動し、1.4kOe付近で量子臨界状態を実現する可能性が考えられる。
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