| 研究課題/領域番号 |
26420229
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
|
|---|
| 研究機関 | 名古屋大学 |
|---|
研究代表者 |
横水 康伸 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (50230652)
|
|---|
| 研究分担者 |
松村 年郎 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (90126904)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
|
|---|
| キーワード | 大電流 / 直流 / 遮断器 / 限流遮断 / パワー半導体 / 直流遮断 / パワー半導体素子 / 限流 |
|---|
| 研究成果の概要 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Diode) を用いた低圧用直流遮断器を提案・試作した。この遮断器では，ゲート・エミッタ間電圧をある時定数で低下させることによって，直流電流を限流遮断している。本研究では，時定数を10, 5および1 msに設定し，電流遮断実験を行い，電流遮断性能を包括的に解明した。時定数を5msに設定することによって，直流電流遮断性能を向上でき，また遮断時に発生する過電圧を抑制できる。さらに，SiC系パワー半導体を用いた直流遮断器を試作し，その特性を評価した。
|
