| 研究課題/領域番号 |
26420264
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 弘前大学 |
|---|
研究代表者 |
岡本 浩 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (00513342)
|
|---|
| 連携研究者 |
俵 毅彦 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 主任研究員 (40393798)
舘野 功太 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 主任研究員 (20393796)
章 国強 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 主任研究員 (90402247)
|
|---|
| 研究協力者 |
鈴木 良優 弘前大学, 大学院・理工学研究科
滝田 健介 弘前大学, 大学院・理工学研究科
対馬 和都 弘前大学, 大学院・理工学研究科
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
|
|---|
| キーワード | ナノドット / Ⅳ族半導体 / ゲルマニウム / ビスマス / Ⅳ族ナノドット / 低温形成 / サーファクタント |
|---|
| 研究成果の概要 |
Ⅳ族ナノドットはSiフォトニクス用の受発光素子、新構造メモリ素子、高効率太陽電池等への応用が期待されている。本研究では申請者がビスマスサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドット成長技術の研究を通じて得た知見をⅣ族材料に応用し、低温形成並びに形状制御技術を開発することを目的とした。新たに開発した手法は低温（室温～130℃程度）下におけるBi、Geの連続蒸着とそれに続く比較的低温（300℃～400℃）のアニールであり、結晶Geナノドットの形成に成功した。また、この手法によるドット形成のメカニズムは当初の予想（サーファクタント効果）とは異なる新たなものであることを検証した。
|
