研究課題
基盤研究(C)
可溶性低分子半導体をフローティングゲートとして利用することで、電荷蓄積層、有機半導体層及びゲート絶縁層の全有機層を簡易的な溶液プロセスで作製できる不揮発性有機トランジスタメモリを開発することに成功した。開発したメモリ素子は大きな閾値電圧シフトを示し、良好な書込/消去特性、比較的長い電荷保持特性が得られることが分かった。この様なメモリ動作が有機半導体のエネルギーバンドダイアグラムで説明できることを示した。
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Journal of Physics: Conference Series
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Proceedings of the International Display Workshops
巻: Vol. 23 ページ: 1440-1441
巻: Vol. 23 ページ: 1380-1383
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210000137666