研究課題
基盤研究(C)
分子線エピタキシ成長による結合量子井戸構造を利用してサブバンド間遷移による光検出器の作製を試みた。作製した素子は暗電流が多く光検出が出来なかった。バンド構造計算により障壁高さが足りないことがわかった。そこで、暗電流のないバイアス印可無しで動作する量子カスケード型検出器の作製を試みた。しかし、明瞭な光検出は出来ず、構造の正確性を評価する必要があった。結合量子井戸構造の評価を行ったところ、結晶成長中に発生する相互拡散によってバンド構造が変調されることが分かり、その変調分を加味した設計が必要であることがわかった。
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