研究課題
挑戦的萌芽研究
本研究では、シリコン集積回路(Si-LSI)の高性能化(高速・低消費電力化)を目指し、絶縁体上にゲルマニウム・ナノワイヤ(Ge-NW)を、Si-LSIの損傷温度(約500℃)以下で直接合成する技術を提案する。具体的には、絶縁体上に(111)面配向したGe膜を形成する「Al誘起成長法」と、単結晶基板上にGe-NWを合成する「Vapor-Liquid-Solid法」を重畳することを検討した。その結果、SiO2基板上、さらにはプラスチック基板上においても配向Ge-NWを合成することに成功した。絶縁体上において、均一な半導体ナノワイヤを直接合成した初めての成果である。
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すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (6件) (うち国際学会 2件、 招待講演 2件) 備考 (1件)
Applied Physics Letters
巻: 107 号: 13 ページ: 133102-133102
10.1063/1.4932054
120007135961
ACS Applied Materials & Interfaces
巻: 7 号: 32 ページ: 18120-18124
10.1021/acsami.5b05394
http://www.bk.tsukuba.ac.jp/~ecology/