研究課題
挑戦的萌芽研究
本研究は、超省エネ化に資する次世代ダイヤモンドパワーデバイス実現のために必要なダイヤモンドウェハの大面積(2インチ以上)・低コスト化に関する基盤技術の開発を目的とした。その結果、ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長用基板としてNiの有効性を示した。具体的には、多結晶Ni基板上に多結晶ダイヤモンド膜を成長することに成功し、かつダイヤモンド/Ni界面に析出したグラファイトにより、そのダイヤモンド膜は自然剥離により自立化可能であることを示した。
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すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 1件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (15件) (うち国際学会 5件、 招待講演 4件) 産業財産権 (1件)
Journal of Crystal Growth
巻: 470 ページ: 104-107
10.1016/j.jcrysgro.2017.04.014
NEW DIAMOND
巻: 第120号 ページ: 9-14