| 研究課題/領域番号 |
26630153
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
菅原 聡 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (40282842)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
|
|---|
| キーワード | スピントロニクス / スピン注入 / スピントランジスタ / スピン伝導 / シリコン / スピンデバイス / 非局所デバイス / スピン蓄積効果 / スピン注入源 |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究課題では，Siスピンデバイスの基盤技術を確立することを最終的な目的として，Siチャネルへのスピン注入技術と，MOS反転層チャネル内のスピンダイナミクスを評価できるデバイス技術を開発した．
まず，種々のトンネル障壁を有するスピン注入源を用いて，Siへのスピン注入を詳細に検証して，Siチャネルへ直接スピン注入可能なスピン注入源に必要な要件を明らかにした．次いで，MOS反転層における実効移動度のユニバーサリティを用いて，スピンダイナミクスを散乱過程ごとに分離して評価できるボトムゲート構造の電界アシスト4端子Hanle効果MOSデバイスの解析を行い，このデバイスの設計方法を確立した．
|
