| 研究課題/領域番号 |
26800280
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
井上 峻介 京都大学, 化学研究所, 助教 (40724711)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 高強度レーザープラズマ / フェムト秒レーザー / レーザー加速 / 高強度レーザー / 短パルス電子源 / 高強度電子源 |
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| 研究成果の概要 |
高強度短パルスレーザーを固体物質に照射した際に加速される電子パルスは、高輝度、極短パルスといった特徴を有しており、超高速に変化する現象を観察可能な電子源としての可能性を秘めている。高強度レーザーにより加速される電子のうち、そのほとんどはシース電場と呼ばれる極めて強い準静的な電場に捉えられてしまうため、利用可能な電子は極めて少なかった。本研究では、高強度レーザーを照射する周辺のプラズマ密度分布を、もう一つの高強度レーザーを用いて制御することで電場の発生を抑制し、利用可能な電子の数を向上させることに成功した。また、これらの結果を数値シミュレーションや簡易モデル評価によりよく説明することに成功した。
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