研究課題/領域番号 |
26820099
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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研究機関 | 首都大学東京 (2016) 東京理科大学 (2014-2015) |
研究代表者 |
平山 尚美 首都大学東京, 理工学研究科, 特任助教 (70581750)
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連携研究者 |
飯田 努 東京理科大学, 基礎工学部, 教授 (20297625)
西尾 圭史 東京理科大学, 基礎工学部, 教授 (90307710)
舩島 洋紀 神戸大学, 理学研究科, 講師 (60434049)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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キーワード | 物性理論 / 半導体物性 / 再生可能エネルギー / 熱電物質 / マグネシウムシリサイド / 不純物添加 / 第一原理計算 / 熱電効果 / 不純物ドープ効果 / 格子定数 / 不純物サイト / 擬ポテンシャル法 / FLAPW法 / KKRグリーン関数法 |
研究成果の概要 |
理論的・計算科学的な手法から,環境低負荷な熱電半導体であるMg2Siにおける「高い熱電性能を引き出すキャリアチューニング」と「高温で安定なP型伝導性」の実現にむけて,理論予測を行った.主な成果として、Mg2Siの電子状態解析に向けた理論解析の枠組みの検討(複数の計算手法による電子状態の比較)、Mg2Siの高性能化、とくに熱起電力の向上にむけた電子密度の最適化、安定なP型伝導性を実現する不純物ドーパントの探索と新しいタイプのドーパントの提案、系の輸送特性に対する格子欠陥の影響調査といったテーマに取り組み、実験的手法から得ることが難しい電子状態やキャリアの輸送特性について新たな知見を得た。
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