| 配分額 *注記 |
10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2016年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
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| 研究実績の概要 |
・筑波大学黒田眞司教授および東京大学理学部秋山了太助教と共同で、分子線エピタキシー法によりGaAs基板上に高品質な単結晶トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜を成長し、スピンポンピングを用いることにより単結晶FeからSnTeのバルク状態へのスピン注入に世界で初めて成功した。起電力の温度依存性の系統的な測定から、0.01というPdやバルクBi2Se3と並ぶ比較的大きなスピンホール角が得られ、SnTeが応用上有望であることを明らかにした。(S. Ohya et al., submitted.)
・東京大学物性研究所岡本博教授と共同で、単結晶強磁性半導体GaMnAsにおけるTHzパルスを利用したコヒーレント磁化制御に初めて成功した。THzの超高速のスピンダイナミクスにおいては、物質はダンピングの影響をほとんど受けないため、超高速磁化制御や磁化反転が可能であることが期待されている。(T. Ishii, S. Ohya et al., in preparation.)
・新学術研究領域A02班の東京大学物性研究所勝本信吾教授との共同研究で、Nb狭ギャップ構造における強磁性半導体InFeAsへの超伝導近接効果の実現に初めて成功した。臨界電流の磁場依存性に特異な振動パターンが観測された。この結果は三重項クーパー対の形成を示唆しているものと考えられる。(T. Nakamura, S. Ohya et al.,to be submitted.]
・フルエピタキシャル単結晶LaSrMnO3/LaAlO3/SrTiO3へテロ構造を用いて、LaSrMnO3からLaAlO3/SrTiO3２次元電子ガス界面への、スピンポンピングを用いたスピン注入とスピン電荷変換に、本材料系で初めて成功した。基板に印加した電界の大きさにより変換効率を変調することに成功した。[S. Ohya et al., to be submitted.]
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