計画研究
2018年度の計画班及び公募班メンバーによる主な成果は以下の通り。(1) イオンゲートによる強電界印加によるPtのスピン軌道相互作用の制御と逆スピンホール効果の消失の発見(Nature Communications誌掲載、新聞など多数掲載)、(2) グラフェン+BiSe微粒子複合系における新しいトポロジカル状態の発現(Science Advances誌掲載)、(3) n-GeおよびSiGeにおける室温スピン伝導の実現、(4) スピンギャップレス半導体CoFeVSiの磁気抵抗物性の理解、(5) 量子ホールエッジ状態を用いたスピンマニピュレーションの実現、(6) 高品質MgOトンネル磁気抵抗素子を用いた効率的AC-DC変換、(7) 半導体量子ドットを用いたスピンダイナミクスのプローブ技術の確立最終年度にふさわしく、いくつかの革新的発見および達成があり、さらにスピン変換基盤技術をさらに強固にする着実な成果もあり、バランスのとれた成果群の発信に成功している。
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
すべて 2019 2018 その他
すべて 国際共同研究 (3件) 雑誌論文 (22件) (うち国際共著 3件、 査読あり 22件、 オープンアクセス 5件) 学会発表 (78件) (うち国際学会 42件、 招待講演 19件) 備考 (2件) 産業財産権 (2件)
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