| 研究概要 |
Ce化合物やSm化合物の磁気相互作用は極めて多様性があり,このため電点抵抗の温度変化の挙動も大変複雑である。一般の金属では温度低下と共に電気抵抗は減少するが,Ce化合物,Sm化合物では,温度低下と共に電気抵抗の増加を見ることも度々である。近藤効果,近藤格子形成に伴う伝導電子バンドにギャップが生起する場合,更に,磁気変態に伴う臨界現象などの場合には低温になるに伴って電気抵抗の挙動は複雑でまぎらわしい。この区別を行うためには電気抵抗と相補的な物理量である熱電能の測定が参考になり,またその磁場変化は示唆的である。
本研究において我々はCeの三元化合物,例えば,CeNiSn,CePdSn,CePtSn,CuCuSn,CeAgSn等々の電気抵抗,熱電能の温度変化の測定を系統的に行ない,又その磁場変化を測定し,また現在もその測定を継続中である。また,試料の純度もこれらの現象に複雑でデリケ-トな影響があることがわかったので,極めて注意を要することも判明してきた。純度高い試料を用いた時に,近藤効果に伴なう熱電能の挙動,近藤格子形成に伴なう熱電能の挙動の異型的な場合のグル-プ分けをする事が出来た。このことにより,CeーLaの希釈化合物系の希薄近藤系から,近藤格子系への転移,反強磁性近藤系から重い電子系を経て更に中間原子価系への転移の複合した現象に対して,明瞭な理解を得ることができるようになった。これらの測定は本研究に対して交付された科研費により購入した定電圧・定電流電源,デイジタル調節計等の性能によるところが大きいことを付言したい。
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