| 研究分担者 |
三好 良夫 大阪大学, 基礎工学部, 助教授 (40029434)
英 崇夫 徳島大学, 工学部, 助教授 (20035637)
吉岡 靖夫 武蔵工業大学, 工学部, 教授 (40061501)
広瀬 幸雄 金沢大学, 教育学部, 教授 (20019425)
鈴木 賢治 新潟大学, 教育学部, 助教授 (30154537)
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| 研究概要 |
1.窒化ケイ素のX線的弾性定数の値が,回折面法線とC軸とのなす角φの関数として,その余弦の2乗の2次曲線で与えられることが明らかとなった。また同じ窒化ケイ素およびアルミナを,研究分担者など8名に配布しX線的弾性定数の共通測定を行うとともに,研削面の残留応力の巡回測定を実施した。
2.低角入射X線法により,研削残留応力の表面下での分布を非破壊的に測定する方法を提案した。さらに研削条件と,残留応力および半価幅との相関について検討した。
3.ジルコニアに関し,研削表面下の残留応力分布,半価幅分布および変態量を明らかにした。さらにジルコニア研削材では,研削平行方向および垂直方向ともにラップ仕上材よりも強化される。これは,研削欠陥による弱化よりも圧縮残留応力の効果が大きいためである。
4.イメージングプレートを使用した微小領域の細束X線応力測定法として,cosα法の可能性が確認された。
5.SiCとTiCのCVD膜では,集合組織の発達が顕著でなく,通常のsin^2φ法の適用が可能であり,残留応力に及ぼす基材の熱膨張係数の影響が明らかとなった。さらに,SiC/Tic複合コーティングに対しても回折波形分離法により応力測定が可能であった。
6.スパッタリングで作製したAIN皮膜はc軸配向するが,その場合に対する新しい応力測定法を提案した。
7.R曲線法に基づくセラミックス中の欠陥からの破壊モデルを提案した。
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