| 研究概要 |
1.半導体系ヘテロ構造
GaPにGa^+イオンを照射することによって表面部分を選択的に非晶質化し,その非線形光学定数がイオン照射前の約10%に低下していることを確認した。また,Si基板上にGaAs多結晶薄膜を成長することにも成功した。さらに,Si基板上に成長したβ-SiC単結晶薄膜が完全にSHG不活性であるという極めて特異な現象を初めて見出した。今後,これらの成果に基づき,素子化可能なヘテロ構造の作製を目指していく予定である。
2.有機系ヘテロ構造
各種の検討の結果,ポリイミドの微細間隙中に有機結晶を成長させる方法がベストであるとの結論を得た。ポリイミドの微細加工についてはほぼ目処が立ったと考えており,間隙中への結晶成長法について現在検討を加えている。
3.不規則周期疑似位相整合
シミュレイテド・アニーリングの手法を用いて不規則周期疑似位相整合SHG素子の最適設計をおこない,大幅な特性改善が可能であることを示した。また,不規則周期分極反転LiNbO_3導波路を実際に作製しその手法の有効性を実証した。今後,この手法を上記の非線形光学ヘテロ構造に適用していきたい。
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