| 研究課題/領域番号 |
08455020
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
小林 猛 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (80153617)
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| 研究分担者 |
牧 哲朗 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (80273605)
藤井 龍彦 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (40238530)
作田 健 大阪大学, 基礎工学部, 講師 (70221273)
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| キーワード | ダイヤモンド / 界面準位 / MISFET / フッ素化 |
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| 研究概要 |
この研究期間にダイヤモンド半導体の薄膜成長に大きな進展があったので、全体的に研究の進捗がよかったと思われる。界面の制御に関して、まず表面準位あるいは界面準位の原因になる活性酸素の吸着問題から研究を開始した。この試みは研究の進展において大変効果的な結果を生むことになった。酸素吸着がダイヤモンドの価電子帯端から1.7eVの個所に大きな準位をつくることが判明した。これが原因でMIS構造の動作が損なわれていた訳である。
筆者等は活性フッ素を表面に照射することで、吸着酸素を取り除き、替わりにフッ素を吸着させる方法を提案して、その効果を実験的に確認した。フッ素で置換した表面は予想以上に安定であり、界面準位の軽減を実現するとともにFETの動作を可能にした。
このような試みは初めてのものであって、この分野の研究進展に大きな貢献をしたと言える。
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