| 研究課題/領域番号 |
08555009
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| 応募区分 | 試験 |
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
尾浦 憲治郎 大阪大学, 工学部, 教授 (60029288)
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| 研究分担者 |
石田 英之 東レリサーチセンター, 構造化学研究部, 部長(研究員)
伊藤 隆司 富士通研究所, 半導体研究部, 部長(研究員)
綿森 道夫 大阪大学, 工学部, 助手 (80222412)
片山 光浩 大阪大学, 工学部, 講師 (70185817)
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| キーワード | 表面水素 / 界面水素 / イオンビーム / スパッタリング / 複合水素分析 |
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| 研究概要 |
我々は、既に水素で終端されたシリコン表面上では金属薄膜のエピタキシ-が大きく影響され、しかもこれは可逆的に金属薄膜中に水素を吸着した場合も同様な現象を示すことを、イオンビーム弾性反跳粒子検出法(ERDA)と低速電子線回折(LEED)等で見出したが、本研究では、この水素が引き起こす特異な現象の解明のために、新しい複合型評価手法を確立することを目的とする。そのため本年度は以下の研究計画を実施した。
(1)膜成長時や水素吸着時の薄膜の結晶構造の変化をリアルタイムに調べられる低速イオン散乱法を組み合わせるため、イオン源を購入し、実際にIn薄膜でテストを行った。In薄膜が水素吸着によってリアルタイムにクラスタリングしていくさまが観察された。
(2)薄膜作成法にバリエーションを持たせるため、通常の薄膜形成プロセスでよく用いられるスパッタリング装置を分析チェンバーに併設した。これによって水素を直接吸着した薄膜のみならず、薄膜を成膜する過程で入り込む水素の挙動も調べられ、より応用範囲が広がった。
以上のような結果から、本年度の研究計画を完全に達成したと考える。
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