| 研究課題/領域番号 |
08555009
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
尾浦 憲治郎 大阪大学, 工学部, 教授 (60029288)
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| 研究分担者 |
石田 英之 東レリサーチセンター, 構造化学研究部, 部長(研究員)
伊藤 隆司 富士通研究所, 半導体研究部, 部長(研究員)
綿森 道夫 大阪大学, 工学部, 助手 (80222412)
片山 光浩 大阪大学, 工学部, 講師 (70185817)
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| キーワード | 表面水素 / 界面水素 / イオンビーム / スパッタリング / 複合水素分析 |
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| 研究概要 |
我々は、既に水素で終端されたシリコン表面上では金属薄膜のエピタキシ-が大きく影響され、しかもこれは可逆的に金属薄膜中に水素を吸着した場合も同様な現象を示すことを、イオンビーム弾性反跳粒子検出法(ERDA)と低速電子線回折(LEED)等で見出したが、本研究では、この水素が引き起こす特異な現象の解明のために、新しい複合型評価手法を確立することを目的とする。そのため本年度は以下の研究計画を実施した。
(1)平成8年度に複合化した低速イオン源を用い、Si(100)基板上に吸着した水素の吸着量を、反跳する水素イオンを用いて検出する。Si基板をアニールしたとき、Si基板にGe原子を1原子層蒸着した表面をアニールしたとき、表面に残る水素量を調べて、優先的に吸着・脱離するサイトを求めた。
(2)平成8年度に複合化したスパッタリング装置を用い、水や水素分子を含んだ状態で薄膜を作成し、応力の変化を調べる。水素が膜中に導入されるプロセス、水素脆性が応力に与える影響を調べた。
以下の結果は装置を複合化して始めて見出されたことであり、本年度の研究計画を完全に達成したと考える。
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