| 研究課題/領域番号 |
15H03564
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
白石 賢二 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (20334039)
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| 研究分担者 |
財満 鎭明 名古屋大学, 学内共同利用施設等, 教授 (70158947)
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| 連携研究者 |
宮崎 誠一 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (70190759)
中山 隆史 千葉大学, 大学院理学研究科, 教授 (70189075)
牧原 克則 名古屋大学, 大学院工学研究科, 准教授 (90553561)
初貝 安弘 筑波大学, 数理物質系, 教授 (80218495)
洗平 昌晃 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (20537427)
中塚 理 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (20334998)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | シリセン / ゲルマネン / スタネン / 二次元物質 / 第一原理計算 / 物質創製 |
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| 研究成果の概要 |
シリセン、ゲルマネンの電子構造と原子構造を第一原理計算で行った。まず、絶縁体であるAl2O3上のシリセンとゲルマネンの電子構造を計算した。その結果、バンド構造はK点でディラックコーンを持つフリースタンディングのシリセン、ゲルマネンのバンド構造を保存することがわかった。しかし、細かく見ると表面への吸着構造に依存してシリセン、ゲルマネンのバンド構造が微妙に変わることを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
物性物理学
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