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半導体レーザの高効率化には製作技術に課題があった．そこで面発光レーザ（VCSEL）の高性能化のため，半導体ヘテロ界面混晶化（混晶化）手法を応用した，優れた製作性の光・キャリア・電流閉じ込め構造製作技術の確立を目的とした．プロトン注入混晶化手法により，光閉じ込め用屈折率制御，キャリア閉じ込め用ポテンシャル障壁形成，トンネル接合破壊電流閉じ込め構造形成を検討した．
結果として，理論的に屈折率制御性とVCSEL特性改善の可能性を示し，実験的にポテンシャル形成と結晶品質回復，トンネル接合破壊電流閉じ込めを達成した．実験的VCSEL特性改善は得られなかったが，課題を明らかにし，特性改善の可能性を示した．
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