| 研究課題/領域番号 |
15K04630
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 福岡大学 |
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研究代表者 |
鈴木 孝将 福岡大学, 工学部, 教授 (10580178)
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| 研究分担者 |
柳生 数馬 福岡大学, 工学部, 助教 (90609471)
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| 研究協力者 |
栃原 浩
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 走査トンネル顕微鏡 / ナノ表面・界面 |
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| 研究成果の概要 |
Ge/Si(001)ミッシングダイマー列にPTCDA分子やペンタセン分子を少量吸着させたところ、当初の予想に反して自己組織化が起こらないことが分かった。そこで、その原因を探るために、Si(001)清浄表面上にペンタセン分子を吸着させて初期成長過程をSTMで詳細に調べる実験と、Ge(001)清浄表面上にPTCDA分子を少量吸着させてその化学吸着構造をSTMとDFTで詳細に調べる実験を行った。さらに、極低温で超電導になることが報告されているSi(111)-√7×√3-In表面構造をXPSとSTMとDFTで詳細に調べる実験も行った。それぞれの結果を国際英文誌に投稿した。
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| 自由記述の分野 |
表面物理
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
1分子が1ビットに対応する記録媒体が出来れば、現在のフラッシュメモリに代表される記録媒体の記録密度を大幅に向上させることができる。一方、シリコン無機半導体と有機半導体から成るハイブリッド・分子エレクトロニクス素子の実現には、無機・有機半導体界面を原子レベルで観察して制御する技術が重要である。上記2つのデバイスの実現に関連する共通技術として、シリコンやゲルマニウムといった典型的な無機半導体上での、PTCDA分子やペンタセン分子といった典型的なn型有機半導体の化学吸着構造や成長過程を原子レベルで詳細に調べることで、無機・有機半導体界面の構造や性質を制御する方法を研究した。
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