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窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタは第5世代の無線通信向けのデバイスとして貢献しうるが、動作電力および周波数を向上させるためにはバリア層材料として窒化インジウムアルミニウム(InAlN)の採用が期待される。しかし、InAlNの本質的な特性から漏れ電流が大きく、絶縁体と組み合わせてMOSゲート構造とすることが必須となる。本研究においては、このような背景の中、SiO2とInAlNの界面の制御に関する研究を行い、酸化アルミニウム超薄膜層およびプラズマ酸化膜超薄膜層を介在層とすることが有効であることを突き止め、これまでにない良好な特性を有する界面の形成に成功した。
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