研究課題
基盤研究(C)
本研究ではマイクロインバータ用の200 W出力100 kHz GaN FET フライバックコンバータを試作し，動作検証を行った。試作したフライバックコンバータにおいて，GaN FET を並列接続することによって損失低減を図り，電力変換効率を改善した。GaN FET フライバックコンバータの効率測定および損失解析を行い，GaN FETを2並列接続することにより導通損失を24%低減し、電力変換効率を0.9％改善できることを確認した。
パワーエレクトロニクス
