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超低電圧下での動作を可能としたレシオレスSRAM技術により、素子ばらつきや経年劣化の影響を受けずに、高速かつ超低消費電力な、T-CAM（Ternary Content Addressable Memory)を開発した。24トランジスタ構成のT-CAMセルと、階層型AND構成のマッチング回路を開発した。180nmCMOSプロセスでT-CAM回路の実証チップを試作し、同時に試作した６トランジスタSRAM型のT-CAMとの性能比較を行った。その結果、電源電圧0.25Vまでの動作を実測で確認し、従来の６トランジスタSRAMを用いたT-CAMに対して、半分以下の電源電圧で動作することを実測で確認した。
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