研究課題
基盤研究(C)
本研究は、絶縁性ワイドギャップ材料中を走るキャリア捕獲欠陥中心を評価するための手法を開発することを目的とする。粒子線を当該材料に入射させることにより過渡的なキャリア伝導を起こすとともに、捕獲準位深さに対応する光照射を行うことによる誘導電荷量の回復を指標として当該評価を行う装置の開発を行った。例として絶縁性ダイヤモンド中の電子と正孔の捕獲準位分布の検出を行い、本手法の有効性を明らかにした。
材料物性工学、イオンビーム工学