研究課題/領域番号 |
15K06450
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
無機材料・物性
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
坪内 信輝 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (10357535)
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研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2017年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2016年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2015年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
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キーワード | ワイドギャップ材料 / 粒子線 / キャリア / 捕獲準位 / 光 / ワイドギャップ半導体 / キャリア捕獲準位 / スペクトル / エネルギースペクトル / 深い準位 / 光照射 |
研究成果の概要 |
本研究は、絶縁性ワイドギャップ材料中を走るキャリア捕獲欠陥中心を評価するための手法を開発することを目的とする。粒子線を当該材料に入射させることにより過渡的なキャリア伝導を起こすとともに、捕獲準位深さに対応する光照射を行うことによる誘導電荷量の回復を指標として当該評価を行う装置の開発を行った。例として絶縁性ダイヤモンド中の電子と正孔の捕獲準位分布の検出を行い、本手法の有効性を明らかにした。
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