研究課題
挑戦的萌芽研究
優れた物性を有するグラフェンは、テラヘルツ帯で動作するトランジスタを実現する。私は、SiC基板から転写・接合によるSiC単結晶薄膜作製技術を用いて、デバイス応用に適した基板上への高品質グラフェンの成長に成功した。このグラフェンが、直線的なバンド分散を有していることを確認し、更には、キャリア移動度が高いことを実証した。このグラフェンを用いたトランジスタの試作に成功し、高速電子デバイス応用に適していることを示した。
表面科学、結晶工学、半導体工学