• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2016 年度 研究成果報告書

しきい値電圧自己調整機構を有する超低電圧動作シリコンナノワイヤトランジスタ

研究課題

  • PDF
研究課題/領域番号 15K13967
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関東京大学

研究代表者

平本 俊郎  東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)

連携研究者 小林 正治  東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (40740147)
更屋 拓哉  東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90334367)
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2017-03-31
キーワード半導体物性 / 大規模集積回路 / MOSFET / ナノワイヤトランジスタ / しきい値電圧自己調整
研究成果の概要

本研究では,超低電圧で動作するナノワイヤトランジスタを実現することを目的に,研究代表者が考案した浮遊ゲート構造による「しきい値自己調整機構」をシリコンナノワイヤトランジスタに応用した.この機構は,トランジスタのオン時にしきい値電圧Vthが自動的に下がり,オフ時にVthが自動的に上がることにより低電圧動作を可能とする機構である.試作したナノワイヤトランジスタのナノワイヤ幅は38nmの極めて細い.試作デバイスを評価した結果,しきい値自己調整が設計通り行われていることを確認した.また,0.1Vという極めて低い電圧においてもしきい値自己調整機構が働くことを確認した.

自由記述の分野

集積デバイス工学

URL: 

公開日: 2018-03-22  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi