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2017 年度 研究成果報告書

トップゲート構造による集積化単一有機半導体相補型トランジスタに関する研究

研究課題

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研究課題/領域番号 15K13969
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関東京工業大学

研究代表者

大見 俊一郎  東京工業大学, 工学院, 准教授 (30282859)

研究協力者 前田 康貴  
廣木 瑞葉  
古山 脩  
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード有機半導体 / 有機絶縁体 / 相補型トランジスタ / 界面制御 / 低仕事関数金属 / 微細化 / 集積化
研究成果の概要

本研究では、トップゲート型単一有機半導体相補型トランジスタ(CMOS)の作製を目的として、低仕事関数金属界面制御層による有機半導体トランジスタ(OFET)の高性能化に関する検討を行った。まず、イッテルビウム界面制御層により、細線化ルブレン単結晶チャネルOFETを実現した。次に、リソグラフィにより非晶質ルブレンゲート絶縁膜を用いた微細トップゲート型ペンタセンOFETを実現した。最後に、窒素添加六ホウ化ランタン界面制御層により、大気中でのペンタセンへの電子注入と、しきい値電圧制御型単一有機半導体擬似CMOSの大気中動作に成功し、トップゲート型単一有機半導体CMOSの形成に関する指針を示した。

自由記述の分野

電子工学

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公開日: 2019-03-29  

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