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本研究では、トップゲート型単一有機半導体相補型トランジスタ(CMOS)の作製を目的として、低仕事関数金属界面制御層による有機半導体トランジスタ(OFET)の高性能化に関する検討を行った。まず、イッテルビウム界面制御層により、細線化ルブレン単結晶チャネルOFETを実現した。次に、リソグラフィにより非晶質ルブレンゲート絶縁膜を用いた微細トップゲート型ペンタセンOFETを実現した。最後に、窒素添加六ホウ化ランタン界面制御層により、大気中でのペンタセンへの電子注入と、しきい値電圧制御型単一有機半導体擬似CMOSの大気中動作に成功し、トップゲート型単一有機半導体CMOSの形成に関する指針を示した。
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