| 研究課題/領域番号 |
15K15936
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
情報学基礎理論
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| 研究機関 | 湘南工科大学 (2018)
電気通信大学 (2015-2017) |
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研究代表者 |
眞田 亜紀子 湘南工科大学, 工学部, 講師 (20631138)
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| 研究協力者 |
森田 啓義 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (80166420)
太田 隆博 長野県工科短期大学校, 情報技術科, 准教授 (60579001)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | フラッシュメモリ / 制約符号 / セル間干渉 / 禁止語 / グラフ理論 |
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| 研究成果の概要 |
フラッシュメモリは高密度不揮発性不揮発性記録媒体として広く活用されている．フラッシュメモリはセルに電荷を注入することでデータの保存を行い，セルの電荷量を量子化することでデータの読み出しを行う．
データの書き換えを行う際，電荷量を増やすことは容易だが電荷量を減らすことはコストがかかるだけでなくメモリの寿命にも影響を与える．また，隣接セルの電荷量差が大きい場合，データ読み出しの際に誤りを起こしやすいことも知られている．本研究では，それらの問題を同時に解決するための符号化を提案し，その性能について解析した．
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| 自由記述の分野 |
情報理論基礎，符号理論，離散数学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
フラッシュメモリはUSBやSSD等，日常の様々な状況で使われており，データを正しく長期間保存できるようにすることが望ましい．今回の成果は主として離散数学の観点からの結果を与えており，高性能，高信頼性符号化に関する基礎的解析に貢献している．特に符号の容量（最大符号化率）やサムレート（１セルあたりにどれだけデータが書き込めるかを数値化したもの）等の重要数値に関して明確な値を与えたことは，今後改善案を思考する上での良い比較対象になると自負する．
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